半導(dǎo)體放電管是一種雙向二端半導(dǎo)體器件，其內(nèi)部機(jī)構(gòu)與雙向晶閘管十分相似，但沒有觸發(fā)門，是電壓自觸發(fā)器件。它是在單晶片兩面同時(shí)采用平面工藝摻雜同種雜質(zhì)而形成的兩面結(jié)構(gòu)完全相同的器件。選用不同的材料和工藝，可以做出各種不同的電壓和電流的放電管
固體放電管是基于晶閘管原理和構(gòu)造的一種兩端負(fù)阻器材。能夠吸收突波，按捺過高電壓，達(dá)到維護(hù)易損組件的目的。該器材是在硅單晶片兩面一起摻雜同種雜質(zhì)而構(gòu)成。選用不一樣的材料和工藝，能夠做出各種不一樣電壓和電流的放電管?！ ?/span>
固體放電管的作業(yè)原理和一個(gè)兩端的可控硅相似，簡述如下：
固體放電管兩面的構(gòu)造基本上是相同的。在運(yùn)用中兩個(gè)極都有加高電位的可能性。在剖析作業(yè)原理時(shí)，假定A接高電位，K接低電位，該器材的特性曲線，能夠把導(dǎo)通與阻斷的過程分為四個(gè)階段。
1)阻斷區(qū)：圖2中的0到VBR段。
此刻器材所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，J2起到了阻擋電流的效果。外加電壓幾乎都加在了J2上，由于漏電流很小，固態(tài)放電管電阻很大，故稱為阻斷區(qū)。
2)雪崩區(qū)：VBR到VBO段
所加電壓從VBR逐漸增加到VBO時(shí)，J2的空間電荷區(qū)內(nèi)的電場很強(qiáng)，區(qū)的寬度被拉得很寬，區(qū)內(nèi)的載流子在滿足強(qiáng)的電場效果下，產(chǎn)生了倍增效應(yīng)，經(jīng)過J2的載流子俄然增加，電流也俄然增大，這即是雪崩區(qū)。
3)負(fù)阻區(qū)：VBO到A段
當(dāng)外加電壓增加到大于VBO時(shí)由于雪崩效應(yīng)而產(chǎn)生了很多的電子空穴對，此刻這些載流子在電場的強(qiáng)烈的抽取效果下，進(jìn)入N2區(qū)，很多的電子與空穴因不能很快復(fù)合而別離堆集在N2區(qū)和P2區(qū)，因而使J2空間電荷區(qū)的電場減弱，降落在J2上的電壓將降低，雪崩效應(yīng)隨之減弱，但外加電壓并不變，這么加在其它結(jié)上的正偏壓要增加，從而使經(jīng)過J2的電流增大，于是，出現(xiàn)了電壓不變而電流增加的負(fù)阻現(xiàn)象。
4)導(dǎo)通區(qū)：A到B段
雪崩效應(yīng)，使J2空間電荷區(qū)越變越窄且由反偏變成了正偏，這么器材的阻抗變得很低，電流變得很大，于是器材由高阻的阻斷狀況，變成了低阻的導(dǎo)通狀況，其伏安特性曲線類似于整流元件的正向特性。
從上述原理中能夠看出，當(dāng)外加電壓低于VBR時(shí)，漏電流很小，處于斷開狀況。不影響被維護(hù)組件的正常作業(yè)。當(dāng)外加電壓大于VBO時(shí)，放電管很快進(jìn)入導(dǎo)通狀況，壓降很小，起到了維護(hù)效果。外加電壓去掉后，電流很快就降到低于維持電流IH，放電管自然恢復(fù)，回到斷開狀況。
綜上所述，該器材的長處是導(dǎo)通電壓小，幾乎無熱耗，可重復(fù)運(yùn)用，能接受較大的沖擊電流，呼應(yīng)快，運(yùn)用安全、可靠，其功能優(yōu)于其它剎那間過壓維護(hù)元器材。
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